| 〔中央社〕「日本經濟新聞」報導，日本半導體大廠爾必達公司將與台灣的聯華電子及力成科技共同研發最尖端的「銅矽穿孔（TSV）」加工技術。 報導指出，半導體的微細化技術已快達到極限，將來的研發焦點聚焦在晶片的垂直堆疊技術。爾必達、聯華電子、力成科技希望能結合DRAM... 更多 |
| 自由時報 ( 6/21/2010 10:25:11 AM +08:00 ) |
| 聯電、力成、爾必達簽技術合作協議 研發整合性單晶片 |
| 聯電(2303-TW) (UMC-US)、爾必達(Elpida) 和力成(6239-TW) 今(21) 日將會簽署技術合作協議，將致力於共同研發整合型的邏輯、記憶體單晶片。 《經濟日報》報導，三方合作案將在聯電大樓舉行，以後將會把3D 封裝技術用於單晶片整合上，不過在相關細節方面，有關單位皆不願... 更多 |
| 鉅亨網 ( 6/21/2010 10:20:10 AM +08:00 ) |
| 聯電、爾必達、力成 攻晶片整合 | |
 | 聯電、爾必達（Elpida）及力成今（21）日簽署技術合作協議，三方將致力研發整合型的邏輯、記憶體單晶片，帶動電子產品的體積走向更輕薄短小，同時此舉將有利聯電，擴大承接來自通訊晶片大廠的訂單。 三方合作案今天在新竹聯電大樓舉行，由聯電執行長孫世偉、爾必達社長?... 更多 |
| 聯合新聞網 ( 6/21/2010 3:32:25 AM +08:00 ) | |
| 《半導體》聯電＋爾必達＋力成，揮軍銅製程3D晶片 |
| 聯電 （2303） 、爾必達（Elpida）、力成 （6239） 等3家半導體大廠今（21）日將宣布策略合作，據了解，3家業者將針對銅製程直通矽晶穿孔（Cu-TSV）3D晶片新技術進行合作開發，除了針對3D堆疊銅製程之高容量DRAM技術合作，未來也將開發DRAM及邏輯晶片之3D堆疊晶片技術，... 更多 |
| 中時電子報 ( 6/21/2010 8:05:22 AM +08:00 ) |
| 爾必達傳將攜手聯電、力成研發最先端半導體製造技術 |
| 日經新聞21日報導，日本DRAM大廠爾必達(Elpida)將與台灣聯電(2303)、力成(6239)攜手研發最先端半導體製造技術。報導指出，據台灣相關人士指出，該3家公司計畫於本週內召開共同記者會，屆時爾必達社長(土反)本幸雄、聯電執行長孫世偉和力成董事長蔡篤恭都將出席。... 更多 |
| DJ財經知識庫 ( 6/21/2010 7:02:08 AM +08:00 ) |
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