2010年6月21日 星期一

《科技》聯電、爾必達、力成,TSV製程合作

聯電爾必達力成合攻3D IC聯電(2303)、爾必達(Elpida)及力成(6239)昨(21)日宣布,三方將結合在三維(3D)IC的設計、製造與封裝等優勢,投入開發整合邏輯晶片及動態隨機存取記憶體(DRAM)的3D IC完整解決方案,並導入聯電的28奈米製程生產,2012年首顆整合晶片將正式量產。... 更多
聯合新聞網 ( 6/22/2010 4:20:44 AM +08:00 )

聯電私募對象 爾必達呼聲高
市場傳出,晶圓代工大廠聯電將在今(22)日舉行董事會,討論私募對象,日商爾必達(Elpida )呼聲高,將藉由與國際大廠合作,取得半導體先進製程的技術,生產體積更輕薄短小的單晶片產品。 市場認為,雖然聯電的晶圓代工業務以邏輯IC產品為主,與來自DRAM產業的爾必達之... 更多
聯合新聞網 ( 6/22/2010 3:06:52 AM +08:00 )

Elpida、力成與聯電攜手進行3D IC整合開發
Elpida、力成科技與聯電21日共同宣佈,三方將攜手合作,針對包括28奈米的先進製程,提昇3D IC的整合技術。這項合作將會運用Elpida的DRAM(動態隨機存取記憶體)技術,力成的封裝技術,及聯電的先進邏輯技術優勢,共同開發Logic+DRAM的3D IC完整解決方案。... 更多
NOWnews ( 6/21/2010 11:20:24 PM +08:00 )

聯電與力成及爾必達28奈米TSV技術合作 最快2012年量產
晶圓代工大廠聯電(2303-TW)今天與DRAM模組廠力成(6239-TW)日本爾必達(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對包括28奈米先進製程直通矽晶穿孔(TSV)整合技術進行合作。 聯電執行長孫世偉表示,有鑑於摩爾定律的成長已經趨緩,未來將由TSV這類整合各種技術的解決方案領導市場,認為... 更多
鉅亨網 ( 6/21/2010 7:39:29 PM +08:00 )

簽訂3D IC技術合約蔡篤恭:技術到位後自然有市場需求
簽訂3D IC技術合約蔡篤恭:技術到位後自然有市場需求力成董事長蔡篤恭今日表示,只要3D IC的TSV技術率先達成熟階段,市場需求自然會浮現。(鉅亨網記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(6665-JP),台灣晶圓代工大廠聯電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21)日舉行TSV三方技術合作記者會,力成董事長蔡篤恭表示,... 更多
鉅亨網 ( 6/21/2010 7:24:53 PM +08:00 )

聯電力成爾必達合作 開發3D IC
(中央社記者張建中新竹21日電)聯電、力成及爾必達(Elpida)展開跨領域策略技術合作,針對28奈米先進製程,進行3D IC整合開發;聯電副總經理簡山傑預期,2012年可望導入量產。 晶圓代工廠聯電今天由執行長孫世偉代表與記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭及日本記憶體大廠爾必達... 更多
中央通訊社 ( 6/21/2010 6:32:33 PM +08:00 )

聯電、爾必達、力成 今簽訂技術合作
受科技產業不斷追求「微型化」市場所趨,聯電(2303)、力成(6239)與日商爾必達(Elpida)三家半導體大廠,今天於聯電大樓簽署技術合作協議,就邏輯、記憶體整合成一顆單體晶片,讓終端產品得以落實「輕薄短小」市場特性,業者表示,這將是一項「三贏」的研發工程。... 更多
聯合新聞網 ( 6/21/2010 3:06:18 PM +08:00 )

聯電、力成、爾必達簽技術合作協議 研發整合性單晶片
聯電(2303-TW) (UMC-US)、爾必達(Elpida) 和力成(6239-TW) 今(21) 日將會簽署技術合作協議,將致力於共同研發整合型的邏輯、記憶體單晶片。 《經濟日報》報導,三方合作案將在聯電大樓舉行,以後將會把3D 封裝技術用於單晶片整合上,不過在相關細節方面,有關單位皆不願... 更多
鉅亨網 ( 6/21/2010 10:20:10 AM +08:00 )

聯電、爾必達、力成 攻晶片整合
聯電、爾必達、力成 攻晶片整合聯電、爾必達(Elpida)及力成今(21)日簽署技術合作協議,三方將致力研發整合型的邏輯、記憶體單晶片,帶動電子產品的體積走向更輕薄短小,同時此舉將有利聯電,擴大承接來自通訊晶片大廠的訂單。 三方合作案今天在新竹聯電大樓舉行,由聯電執行長孫世偉、爾必達社長?... 更多
聯合新聞網 ( 6/21/2010 3:32:25 AM +08:00 )

聯電、力成、爾必達策略聯盟
〔記者洪友芳/新竹報導〕晶圓代工廠聯電、記憶體封測廠力成及日本記憶體大廠爾必達(Elpida)將在週一(廿一日)下午簽訂技術合作協議。據了解,三方預計在手機用的記憶體與MCP(多晶片封裝)展開策略聯盟。 聯電、力成高層上週相繼赴日本與爾必達會商技術合作協議,... 更多
自由時報 ( 6/20/2010 3:00:07 AM +08:00 )

聯電私募對象傳聞再起,爾必達浮上檯面
儘管晶圓代工業者聯電(2303)強調,到目前為止,都還沒有確定任何特定的私募對象,惟隨著21日該公司與爾必達(Elpida)、力成合作推動3D IC技術開發的訊息揭露後,聯電這次私募案在市場上所傳聞的對象,也從原先的全球晶圓(GlobalFoundries)轉移至爾必達身上。... 更多
DJ財經知識庫 ( 6/22/2010 9:23:28 AM +08:00 )

《科技》聯電、爾必達、力成,TSV製程合作
聯電 (2303) 、爾必達(Elpida)、力成 (6239) 等3家半導體大廠昨(21)日宣布合作案,三方將攜手合作開發直通矽晶穿孔(TSV)製程技術,針對包括28奈米等先進製程,提高3D晶片的整合技術。這項合作案將利用爾必達的DRAM技術、力成的封裝技術、聯電的邏輯晶圓製造技術... 更多
中時電子報 ( 6/22/2010 9:05:35 AM +08:00 )

《科技》聯電私募,傳爾必達策略結盟
聯電昨日與爾必達、力成簽訂直通矽晶穿孔(TSV)技術合作開發合約,市場則再度傳出,爾必達將是聯電私募案引進策略合作夥伴的口袋名單之一,且雙方未來不排除朝向交叉持股的合作方向進行。唯聯電及爾必達對此一市場消息均不予置評。 爾必達執行長(土反)本幸雄過去是聯電... 更多
中時電子報 ( 6/22/2010 9:05:34 AM +08:00 )

聯電、爾必達、力成TSV技術合作案
為了掌握未來矽穿孔(Through Silicon Via;TSV)3D IC技術趨勢潮流,晶圓代工大廠聯電、日本記憶體大廠爾必達(Elpida)和封測大廠力成3方共同簽署TSV技術合作協議,根據此協議內容,未來將以爾必達的DRAM技術和現有TSV技術開發的成果,配合力成的封裝技術和聯電的先進邏輯... 更多
科技網 ( 6/22/2010 2:27:13 AM +08:00 )

Elpida/力成/聯電搶攻3D IC,2012年導入量產
爾必達、力成科技(6239)與聯電(2303)21日共同宣佈,三方由聯電執行長孫世偉、力成董事長蔡篤恭以及爾必達社長(土反)本幸雄出席簽約,這次合作針對包括28奈米先進製程,進行3D IC整合開發。這項技術將運用Elpida的DRAM(動態隨機存取記憶體)技術,力成科技封裝技術,以及... 更多
DJ財經知識庫 ( 6/21/2010 6:49:15 PM +08:00 )

聯電:3D IC會全面擴及各應用 拼完整解決方案
晶圓代工業者聯電(2303)執行長孫世偉於今(21)日表示,聯電將以自身在先進邏輯製程上的技術優勢,與日商Elpida、力成(6239)等兩大業者在3D IC領域上進行廣泛的技術合作,且預計會以TSV(Through-Silicon Via,直通矽晶穿孔)製程開發為核心,共同開發Logic+DRAM的3D IC完整... 更多
DJ財經知識庫 ( 6/21/2010 6:49:14 PM +08:00 )

《半導體》聯電、力成、爾必達將開發Logic+DRAM的3D_IC解決方案
聯電 (2303) 、力成科技 (6239) 與日本Elpida公司共同宣佈,三方將攜手合作,針對包括28奈米的先進製程,提昇3D IC的整合技術。這項合作將會運用Elpida的DRAM(動態隨機存取記憶體)技術,力成科技的封裝技術,以及聯電的先進邏輯技術,共同開發Logic+DRAM的3D IC完整解決... 更多
中時電子報 ( 6/21/2010 4:46:11 PM +08:00 )

《半導體》聯電+爾必達+力成,揮軍銅製程3D晶片
聯電 (2303) 、爾必達(Elpida)、力成 (6239) 等3家半導體大廠今(21)日將宣布策略合作,據了解,3家業者將針對銅製程直通矽晶穿孔(Cu-TSV)3D晶片新技術進行合作開發,除了針對3D堆疊銅製程之高容量DRAM技術合作,未來也將開發DRAM及邏輯晶片之3D堆疊晶片技術,... 更多
中時電子報 ( 6/21/2010 8:05:22 AM +08:00 )

爾必達傳將攜手聯電、力成研發最先端半導體製造技術
日經新聞21日報導,日本DRAM大廠爾必達(Elpida)將與台灣聯電(2303)、力成(6239)攜手研發最先端半導體製造技術。報導指出,據台灣相關人士指出,該3家公司計畫於本週內召開共同記者會,屆時爾必達社長(土反)本幸雄、聯電執行長孫世偉和力成董事長蔡篤恭都將出席。... 更多
DJ財經知識庫 ( 6/21/2010 7:02:08 AM +08:00 )

簽訂3D IC技術合約蔡篤恭:技術到位後自然有市場需求
日本DRAM晶圓大廠爾必達(6665-JP),台灣晶圓代工大廠聯電(2303)以及DRAM封測大廠力成(6239)今(21)日舉行TSV三方技術合作記者會,力成董事長蔡篤恭表示,電子產品逐漸朝輕薄短小趨勢走,3D IC堆疊技術已成市場主流,並可兼具高效能與低功耗的雙重利益,雖然短期內仍看不到... 更多
台視新聞 ( 6/21/2010 7:41:20 PM +08:00 )

沒有留言: